La détermination modèle des paramètres fondamentaux de la diode Schottk; à savoir la hauteur de la barrière, le facteur d''idéalité, et la résistance série joue un rôle important dans la conception et la fabrication des dispositifs semi-conducteurs telles que les photopiles. Notre travail consiste à extraire par une des méthodes évolutionnaires ces paramètres modélisant les données expérimentales en utilisant les algorithmes génétiques (AG) qui connaissent actuellement un essor considérable dans le domaine de résolution des problèmes complexes d''optimisation, grâce à leur universalité, fiabilité et robustesse. Nous nous sommes particulièrement concentrés sur le développement d''un modèle analytique optimisé de la caractéristiques I-V en fonction de la température en utilisant la technique évolutionnaire AG. Le bon accord entre les résultats expérimentaux et les résultats obtenus par notre approche a montré l''applicabilité des AGs à mettre en évidence certains paramètres physiques critiques des cellules photovoltaïques pour une large gamme de températures.
Il n'y a pas encore de discussion sur ce livre
Soyez le premier à en lancer une !
Dans ce recueil de 13 nouvelles, la jeune autrice mexicaine frappe fort mais juste
Une fiction historique glaçante et inoubliable, aux confins de l’Antarctique
Découvrez les derniers trésors littéraires de l'année !
"On n'est pas dans le futurisme, mais dans un drame bourgeois ou un thriller atmosphérique"
