Le développement très remarqué des technologies basées sur l''électronique, l''optique et l''optoélectronique a été rendu possible grâce aux avancées réalisées dans les domaines de conception des semi-conducteurs et de compréhension de leurs propriétés électroniques, optiques et structurales. L''étude de ces composés se trouve confrontée à des problèmes liés à la présence et à la diffusion des imperfections. L''étude des semi-conducteurs en couches minces constitue depuis longtemps un axe majeur de la recherche scientifique. Les méthodes VPE et CVD sont très utilisées pour la croissance cristalline et la spectromètrie Mössbauer occupe une place particulière dans l''étude et la détection des défauts. Ce livre donne un résumé sur la nature des inperfections et leurs mécanismes de diffusion dans les semi-conducteurs. Il présente également une explication détaillée du principe de l''effet Mössbauer et de la technique de spectrométrie Mössbauer. Une autre grande partie de ce livre est consacrée à la présentation d''une étude détaillée sur la conception par la méthode VPE-CVD des couches minces du sulfure de cadmium (CdS) et leurs analyses par spectrométrie Mössbauer.
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