Des couches minces de carbure de silicium amorphe hydrogéné sont élaborées par PECVD et HWCVD sur des substrats de verre et de silicium. Les propriétés optiques nous ont permis d'estimer la largeur de la bande interdite. Les caractérisations électriques ont montré la nature Schottky du contact et ont permis de déterminer l'énergie d'activation et la concentration des porteurs des structures obtenues avec ces couches. Les paramètres caractéristiques d'une diode Schottky à barrière inhomogène ont été aussi déduits des mesures électriques.
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