Du fait de sa grande constante diélectrique et sa large bande interdite, l'oxyde d'hafnium a récemment été proposé pour remplacer l'oxyde thermique classique. Le but de cette thèse était de faire un point sur les propriétés électriques de ce nouveau matériau et de mieux comprendre les difficultés rencontrées par l'industrie de la microélectronique pour intégrer cet oxyde alternatif dans les futurs transistors CMOS. Cette thèse est organisée en quatre chapitres. Chacun d'entre eux est consacré à une propriété électrique essentielle de l'empilement haute permittivité : L'EOT (Epaisseur Equivalente Oxyde), la conduction à travers l'isolant, les défauts électriques dans l'oxyde et la fiabilité du diélectrique.
Il n'y a pas encore de discussion sur ce livre
Soyez le premier à en lancer une !
A gagner : des exemplaires de cette BD jeunesse sur fond de légendes celtiques !
L'autrice coréenne nous raconte l'histoire de son pays à travers l’opposition et l’attirance de deux jeunes adolescents que tout oppose
Mêlant la folie à l’amour, l’auteur nous offre le portrait saisissant d’une « femme étrange » bousculant les normes binaires de l’identité sexuelle
Dans ce recueil de 13 nouvelles, la jeune autrice mexicaine frappe fort mais juste
