Ce travail présente un modèle de calcul bidimensionnel de l'intensité de la cathodoluminescence (CL) qui tient compte de la diffusion latérale et en profondeur des porteurs générés, de l'absorption interne (alpha), du taux de la génération, des mécanismes de recombinaisons radiatives intrinsèques et extrinsèques ainsi des conditions expérimentales de l'excitation électronique. On présente une étude expérimentale sur GaN par cette technique suivie d'une comparaison et validation. L'étude de l'influence de quelques paramètres physiques tels que la longueur de diffusion, la vitesse de recombinaison en surface des porteurs minoritaires et le coefficient d'absorption sur l'intensité de CL. On a mis l'accent sur la dépendance de signal CL avec les paramètres d'excitation. Pour interpréter les résultats expérimentaux et valider notre modèle nous avons étudiés l'effet des contraintes et l'effet thermique accompagnant l'excitation électronique sur l'évolution de pic fondamental de CL. Cette étude nous a permis de plus d'expliquer la variation de l'intensité CL avec les phénomènes compétitifs entre alpha, l'effet local de la température et l'effet des contraintes présents dans le matériau.
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