Le graphène a retenu l'attention de la communauté scientifique ces dernières années vue ses propriétés particulières. C'est le premier solide cristallin à deux dimensions qui ait pu être élaboré expérimentalement. C'est un semi-conducteur à gap nul, les électrons qui se propagent à l'intérieur sont décrits par l'équation de Dirac ultra relativiste nor- malement réservée aux particules sans masses de très haute énergie. Toute fabrication d'un tel matériau est munie de la présence des défauts statiques comme les lacunes, les adsorbats etc... Ces défauts peuvent être un moyen pour contrôler les propriétés électroniques. Dans cette thèse, nous présentons dans un premier temps des résultats relatifs aux calculs des propriétés de transport quantiques dans le graphène mono-couche et bi- couche en présence d'adsorbats. Pour une distribution aléatoire d'adsorbats, nous avons montré que la bi-couche de graphène possède deux comportements différents selon la valeur de la concentration de ceux-ci. En revanche, la distribution sélective donne un comportement électronique spectaculaire de la bi-couche de graphène. Ces résultats ainsi que l'apparition d'un gap dans le graphène sont bien expliqué
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