Les performances obtenues en multicouches ces dernières années ont montré l'intérêt des films minces qui présentent des propriétés thermoélectriques nettement plus importantes que celles obtenues dans les matériaux massifs. Nous avons choisi de développer des couches minces thermoélectriques de type Mg2Si1-xSnx connus par leurs bonnes performances à l'état massif à des hautes températures, cependant peux étudiés en couches minces. Nous montrerons qu'il est possible à partir de calculs de structure électronique portant sur le dopage de Mg2Si et des données bibliographiques d'envisager l'élaboration de couches minces de Mg2Sn dopé p et n. Nous aborderons les résultats expérimentaux obtenus de l'étude des dépôts élaborés par la technique de pulvérisation cathodique PAPVD. Le but recherché étant la réalisation des couches minces de propriétés thermoélectriques plus performants.
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