L'holographie électronique "off-axis" est une technique de MET sensible à la densité locale de porteurs, elle permet facilement une cartographie 2D du potentiel électrostatique et, par son large champ de vue, une analyse des profils de dopants actifs, directement utilisable pour le calibrage des outils de simulation des procédés. Les travaux de cette thèse ont pour objet, d'une part l'établissement de protocoles de préparation des échantillons, d'acquisition des données en holographie électronique, et d'autre part la comparaison entre les résultats de la mesure et ceux de la simulation numérique des procédés de fabrication de la microélectronique. L'étude porte sur l'implantation d'Arsenic dans le canal de transistors 'nMOS', issus d'une technologie sur film mince (10 à 50nm). Cet ouvrage explore les capacités et les limites de l'holographie électronique à travers l'analyse d'échantillons de complexité croissante : depuis une image dans le vide à un transistor de dernière génération. Chaque étape est appuyée par une confrontation aux modèles mathématiques existants, et à la simulation numérique.
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